На участие в Летней школе Фонда поступили 76 заявок

До 12 мая 2010 года принимались заявки на участие в Летней школе «Актуальные проблемы теории конденсированного состояния».
Она пройдет при содействии Международного центра фундаментальной физики в Москве с 4 по 14 июля 2010 года в Зеленогорске Ленинградской области.

Если вы не нашли в списке свою заявку, отправленную в Оргкомитет вовремя,
перешлите свое письмо с заявкой на адрес: loiko@td.lpi.ru

Результаты конкурса будут объявлены в конце мая.

Список поступивших заявок

• АЛФИМОВ Михаил Николаевич, Московский физико-технический институт, факультет общей и прикладной физики
• АЛЬШАНСКИЙ Глеб Алексеевич, Институт физики металлов УрО РАН
• АНЗУЛЕВИЧ Антон Петрович, Челябинский государственный университет
• АЛЕЙНИКОВ Михаил Сергеевич, МГУ им. М. В. Ломоносова
• АНТИПОВ Андрей Евгеньевич, МГУ им. М. В. Ломоносова, физический факультет, кафедра квантовой электроники
• АРИФУЛЛИН Марсель Равшанович, Оренбургский государственный университет, физический факультет
• БАКУЛИН Александр Викторович, Томский государственный университет, физический факультет, кафедра теоретической физики
• БЕЛОЗЕРОВ Александр Сергеевич, Уральский федеральный университет, физико-технический факультет
• ВАСИЛЬЕВА Галина Юрьевна, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, физико-технический факультет
• БЕЛЬТЮКОВ Ярослав Михайлович, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, физико-технический факультет
• БЕССОНОВ Владимир Дмитриевич, Уральский государственный университет УПИ, кафедра физики
• БУРМИСТРОВА Ангелина Владимировна, МГУ им. М. В. Ломоносова, физический факультет
• ВАХИТОВ Руслан Ришатович, Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Московский физико-технический институт
• ВЕНЕДИКТОВ Вадим Аркадьевич, Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, кафедра физики полупроводников физического факультета
• ВОЛКОВА Татьяна Васильевна, Самарский государственный университет, физический факультет, кафедра общей и теоретической физики
• ГЛАДУШ Юрий Геннадьевич, Институт спектроскопии РАН
• ГРАБОВСКИЙ Андрей Владимирович, Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН
• ГРЕШНОВ Андрей Анатольевич, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
• ДЕНИСЕНКО Марина Валерьевна, Научно-исследовательский физико-технический институт (НИФТИ) при НИУ (ННГУ), лаборатория «Теория наноструктур»
• ДЕМИН Виктор Александрович, Институт инженерной физики и радиоэлектроники (ИИФиРЭ) Сибирского федерального университета, инженерно-физическое отделение
• ЕГОРОВ Евгений Сергеевич, Московский физико-технический институт, факультет проблем физики и энергетики
• ЕРИН Юрий Сергеевич, Физико-технический институт низких температур им. Б. И. Веркина Национальной академии наук Украины
• ЗАГРЕБИН Михаил Александрович, Челябинский государственный университет, физический факультет, кафедра радиофизики и электроники
• ИГНАТЕНКО Андрей Николаевич, Институт физики металлов УрО РАН, отдел теоретической и математической физики
• ИГОШЕВ Петр Алексеевич, Институт физики металлов
• КАРПОВ Петр Игоревич, Московский институт стали и сплавов, Институт новых материалов и нанотехнологий
• КАРМИНСКАЯ Татьяна Юрьевна, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына МГУ
• КВАШНИН Александр Геннадьевич, Сибирский федеральный университет, инженерно-физическое отделение
• КВАШНИН Дмитрий Геннадьевич, Сибирский федеральный университет, инженерно-физическое отделение
• КИСЕЛЕВ Юрий Юрьевич, Санкт-Петербургский академический университет РАН — Научно-образовательный центр нанотехнологий
• КЛОЧКОВ Алексей Николаевич, Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН
• КОВАЛЁВ Вадим Михайлович, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, лаборатория теоретической физики
• КОРНИЛОВ Андрей Викторович, Уссурийский государственный педагогический институт, физико-математический факультет
• КОРОВУШКИН Максим Михайлович, Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН (Красноярск), лаборатория теоретической физики
• КОРОЛЁВ Алексей Викторович, Уральский государственный университет им. А. М. Горького
• КОСТЮЧЕНКО Татьяна Викторовна, Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
• КРИВЕНКО Игорь Станиславович, Международный учебно-научный лазерный центр МГУ им. М. В. Ломоносова
• КРИШТОП Владимир Григорьевич, Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов (ИПТМ РАН)
• ЛАРИОНОВ Игорь Александрович, Казанский государственный университет им. В. И. Ульянова-Ленина
• ЛЕОНОВ Глеб Кириллович, МГУ им. М. В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников
• МАКАРОВ Илья Анатольевич, Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, лаборатория «Физика магнитных явлений»
• МАСЛОВ Дмитрий Андреевич, Российский федеральный ядерный центр — Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики (РФЯЦ-ВНИИЭФ)
• МАНЦЕВИЧ Владимир Николаевич, МГУ им. М. В. Ломоносова, физический факультет, кафедра полупроводников
• МАХМУДИАН Махмуд Максуд, Институт физики полупроводников СО РАН, лаборатория теоретической физики
• МИРОНОВ Сергей Викторович, Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН)
• ОРЛОВ Юрий Сергеевич, Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН
• ОСИПОВ Алексей Александрович, МГУ им. М. В. Ломоносова, физический факультет, кафедра квантовой электроники
• ПАВЛОВ Никита Сергеевич, Институт электрофизики УрО РАН, лаборатория теоретической физики.
• ПЕТРОВ Михаил Игоревич, Академический физико-технологический университет РАН
• ПИСКУНОВА Наталья Ивановна, Омский государственный аграрный университет
• ПОГОСОВ Вальтер Валентинович, Институт теоретической и прикладной электродинамики РАН
• ПОДДУБНЫЙ Александр Никитич, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
• ПОДОЛЬСКАЯ Наталья Игоревна, Санкт-Петербургский филиал Межведомственного Суперкомпьютерного Центра РАН
• ПШЕНАЙ-СЕВЕРИН Дмитрий Александрович, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
• ПЫРЛИН Сергей Владимирович, Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана
• РАДЧЕНКО Григорий Сергеевич, Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета
• РЕЙХ Константин Викторович, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
• РОДИОНОВ Ярослав Игоревич, Институт теоретической физики им. Л. Д. Ландау РАН
• РОЖАНСКИЙ Игорь Владимирович, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
• САВИНОВ Денис Александрович, Институт физики микроструктур РАН
• САЛЮК Юрий Марленович, Приднепровская государственная академия строительства и архитектуры, строительный факультет
• СБОЙЧАКОВ Артем Олегович, Институт теоретической и прикладной электродинамики РАН
• СИБАТОВ Ренат Тимергалиевич, Ульяновский государственный университет
• СИВАКОВА Ксения Петровна, Самарский государственный университет, физический факультет
• СМИРНОВ Николай Александрович, Российский федеральный ядерный центр — Всероссийский НИИ технической физики им. акад. Е. И. Забабахина
• СОКОЛОВСКИЙ Владимир Владимирович, Челябинский государственный университет
• СОКОЛОВСКИЙ Сергей Александрович, Приднепровская государственная академия строительства и архитектуры
• СТУПКА Антон Анатольевич, Днепропетровский национальный университет, факультет физики, электроники и компьютерных систем, научно-исследовательская лаборатория квантовой хромоплазмы кафедры квантовой макрофизики
• ТАТАРСКИЙ Дмитрий Аркадьевич, Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского (национальный исследовательский университет)
• ТИМОФЕЕВА Мария Алексеевна, Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН
• ТИХОНОВ Константин Сергеевич, Институт теоретической физики им. Л. Д. Ландау РАН
• ФИЛИЧЕВА Юлия Александровна, Сибирский федеральный университет, инженерно-физическое отделение
• ХАЙМОВИЧ Иван Михайлович, Институт физики микроструктур РАН
• ШАПИРО Дмитрий Сергеевич, Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
• ШУМИЛИН Андрей Вадимович, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
• ЩАДИЛОВА Юлия Евгеньевна, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, отдел колебаний, лаборатория теории полупроводниковых наноструктур.